Dienstleistungen im Bereich fortschrittlichster Dünnschichttechnologie –
Nutzung jahrzehnterlanger Erfahrung im Bereich CIGS-Photovoltaik für externe Partner

Unser Leistungsspektrum
 

Umfassende Dienstleistungen im Bereich der Dünnschichttechnologie von einem führenden Anbieter in der CIGS-Photovoltaikbranche

Industrial facades from Germany

Beschichtung

Präzisionsbeschichtungen zur Herstellung von CIGS-Absorbern und zur Materialoptimierung.

 

Beschichtungen                    Details                                                   Max Größe (cm)

Ag                          DC-Sputtern                                                                                      10x10

 

IZO*                       RF-Sputtern, n-Typ                                                                      30x30
                                            
ZnO:Al                 DC-Sputtern, n-Typ, 1 Gew.-% Al,                                          30x90                                 (andere Al-Dotierungsgrade auf Anfrage)
 
ZnMgO:Al           RF-Sputtern, n-Typ,                                                                     30x90
                                verschiedene Mg Zusammensetzungen,
                                Al-Dotierungsgrade  
 
ZnOS                    RF-Sputtern, n-Typ,                                                                     30x60
                                verschiedene S-/S+O-Zusammensetzungen    
 
NiOx                     RF-Sputtern, p-Typ,                                                                      30x90
                               optional mit 2 Gew.-% Cu             
 
InS:Na                 Thermische Ko-Verdampfung, n-Typ,                                30x60
                                Eg=2..2.2eV, Na-Dotierung bis 15 At.-%
 
C60                       Thermische Verdampfung, n-Typ,                                        30x30
                                Quellenreinheit 99,99 % 
                                                                         
BCP                      Thermische Verdampfung                                                        30x30
                                                                                     
LiF                        Thermische Verdampfung                                                        30x30
 
Cu                         Sputtern                                                                                             30x30
 
CuGa                    Sputtern, verschiedene Ga-Zusammensetzungen      30x30
 
In                           Sputtern                                                                                             30x30
 
CuNaF                Sputtern                                                                                              30x30
  
Mo                        Mo als Metall, reaktiv zur Bildung von MoN                       30x30
 
AgGa                   Ca. 70 At.-% Ag und 30 At.-% Ga                                            30x30
  
CuSb                   Ca. 10 At.-% Sb und 90 At.-% Cu                                             30x30
 
Se                         Thermische Verdampfung                                                         30x30

Wärmebehandlung

Präzisionswärmebehandlung zur Herstellung von CIGS-Absorbern und zur Materialoptimierung.

 

Temperprozess          Details                                                               Max Größe (cm)

Option 1       Atmosphärenkontrolliertes thermisches Tempern.           60x90                         Spezialisierte Prozessierung in schwefelreicher 
                        oder inerter Atmosphäre bei Temperaturen bis 580 °C 
                        zur Materialphasenumwandlung und Kornvergrößerung
                        
Option 2      Hochpräzises schnelles thermisches Tempern.                  30x30                         Fortschrittliche thermische Prozessierung bis 600 °C 
                        bei extrem niedrigen Sauerstoffwerten (<10 ppm). 
                        Ermöglicht schnelles, programmierbares Aufheizen 
                        (bis 2,8 °C/s) zur präzisen kinetischen Kontrolle sowie 
                        zur Schwefelisierung/Entschwefelung.

Laser Prozessierung & Strukturierung

Hochpräzise Laserstrukturierung sowie mechanische Strukturierung.

 

Laser & Strukturierung              Details                                          Max Größe (cm)

 
Laser                           Hochpräzise ps-Laserstrukturierung (1-10 ps)      40x40 Strukturierung       Wellenlänge: 1064/1030/515/343 nm, 
                                       Prozesse: Einzel-/Mehrfachpulse (25kHz-4MHz), 
                                       Maximale Leistung: 30W, Auflösung: <10 µm, XY 
                                       Genauigkeit: <5 µm, Supports, komplexe Struktur-
                                       ierungsmuster durch "Pulse-on-Demand" Techno-
                                       logie
                                              
Randent-                   Hochleistungs ns Laser ~700 W, Wellenlänge:      60x90
schichtung               1064 nm, Entfernung vollständiger Schichten, 
                                       Scanoptiken ermöglichen variable Entfernungs-

                                       bereiche

Lasergravur            CO2 -Lasergravur, Wellenlänge 10,6 µm,                    45x30
                                       Maximale Leistung: 30W, Geschwindigkeit: 
                                       1.5 m/s,  flexible Designs möglich  
 
Mechansches         Mechanisches Strukturieren mittels Wolfram-     40x40
Strukturieren          karbid Nadeln, Linienbreite: bis <10 µm, XY- 
                                       Genauigkeit: <5 µm, hohe Flexibilität im Muster-

                                       design

        
 

Raster & Tintenstrahldruck

Präzisionsdruck- und Metallisierungsdienstleistungen für die Frontkontaktbildung.

 

Druckverfahren                Details                                                        Max Größe (cm)

 
Gedruckte Elektronik     Leitfähige Leiterbahnen und Elektroden,     30x30
                                                   Ag-/Cu-Tinten, PCB-Prototypen entwick-

                                                   lung

 
Solarzellen Kontakte      Feinlinien-Frontmetallisierung, Si/CIGS,      30x30
                                                   Ofensintern               
 
UV Funktions-                    Dielektrika, Verkapselung, Optische                30x30
beschichtung                     Schichten, UV-Härtung    
 
RFID / IoT Antennen        HF & UHF Spulen, induktive Schleifen,           30x30
                                                   Flexible Substrate, maskenloser Druck      
 
Sensorelektroden            Gas-, Feuchte und Biosensors, Kohlen-         30x30
                                                   stoff, Ag- und Ag/AgCl Tinten         
 
Photomasken                     100 μm Auflösung, Mikrofluidik ,                        30x30
Strukturierung                   MEMS        
        

Charakterisierung

Fortschrittliche Analyseverfahren zur Leistungsbewertung von Dünnschicht- und Solarzellen.

 

Charakterisierungs-                         Details                                      Max Größe (cm)
Methode 
 
XRF                   Röntgenfluoreszenzanalyse zur Bestimmung der          30x30
                            Elementzusammensetzung
 
Raman             Raman-Spektroskopie zur Untersuchung ober-              30x30
                            flächennaher Verbindungen, Laserwellenlänge: 
                            632 nm
 
GDOES             Glimmentladungsspektroskopie zur Tiefenprofil-          30x30
                            analyse der Probenzusammensetzung 
     
TRPL                Zeitaufgelöste Photolumineszenz zur Messung von      30x30                             Ladungsträgerlebensdauern         
 
Konfokal         Konfokale Mikroskopie zur Erzeugung von 3D-Bil-         30x30
Mikroskopie  dern und Kenngrößen der Oberflächentopographie      
 
Spektro-         Wellenlängen Bereich: 250-2500 nm, Integrations-        5x10 
metrie              kugel und Standard-Transmissionsküvetten            
 
Spektrale       Absolute PLQY-Messung                                                            2.5x2.5 PL  
                          
Hall                    Messung von Resistivität, Ladungsträgerkonzen-               2x2
                            tration und Beweglichkeit bei 300 K oder 77 K
 
Ellipso-            Computergesteuertes Goniometer, 280-820nm,                Ø 15 
metrie              Halterung für Transmissionsproben, μ-Spot 
                             (200 μm Fokusdurchmesser)  
 

Fringer             Weißlicht Interferometer, 350-820 nm                                 60x90

Wider-              Standard 4-Punkt Widerstandsmessung und                   60x90
stands               hochohmige Impedanz Messung, Messbereich  
Messung          von 0,9 × 10³ Ohm bis 1,6 × 1010 Ohm
              
Flash IV            IV Messungen von PV-Modulen in voller Größe            200x105
                                                                  
Konstant         Temperatur geregelte Messungen (15-65°C)                     30x30
Licht IV             von PV Labormodulen unter AM1.5-Spektrum
                             und anderen Spektren, Tandem-Temperatur- 
                             regelung für Proben bis 10x10cm2
 
IV unter            IV-Messung unter kundenspezifischem Spektrum        20x20
LED Licht        bis 1300nm (z.B. AM1.5, AM0, minimierte Spektrale                                                Fehlanpassung) sowie Temperaturregelung von 
                             15°C bis 65°C
 
"Outdoor"         Leistungsüberwachung von Modulen bei 31° Nei-    200x105
Leistung           gung oder vertikaler Ausrichtung. Andere Aus-
                              richtungen auf Anfrage möglich 
 
"Outdoor"        Parallel zur Leistungsüberwachung durchge-             200x105 Abhängig-      führte Temperatur und Bestrahlungsmessungen 
keit                     zur Analyse des Schwachlichtverhaltens und des 
                             Temperaturkoeefizienten.
 
"Outdoor"        Visuelle Bewertung mittels Fotographien und            200x105 Inspektion      Farbmessungen.                         
  
EL Bild-            Elektrolumineszenz bei Wellenlängen bis 1100 nm        30x30
gebung
 
DLIT/ILIT        Lock-in-Thermographie mit elektrischer Anregung     30x30
                             bis 120 V (DLIT) und optischer Anregung (Einzel-                                                      wellenlänge bei 930 nm) für nicht beleuchtete Proben, 
                             10×-Vergrößerung für DLIT-Messungen verfügbar
 
Klima-              Beschleunigte Alterung unter hoher Luftfeuchtig-       60x90 
kammer           keit, hohen Temperaturen sowie thermischen Zyklen
 
Dauerlicht       MPP-Tracking unter Xe- oder LED-Spektrum mit          60x90
Bestrahlung   Bestrahlungsstärken bis 1.000 W/m²
 
Prototyping    Spezielle Mess- und Steuerungssysteme                                  /                                   zugeschnitten auf kundenspezifische Anwendungen
 
Fehler-             Analyse von Fehlern und Bauteileigenschaften                     /
analyse
                                                            
          
 

 

40+

Jahre Erfahrung

Jahrzehntelange Führungsrolle in der CIGS-Dünnschicht-Photovoltaik-Technologie

50+

Jahre Modernste Ausrüstung

Modernste Laboreinrichtungen für präzise Forschung und Entwicklung

100%

Maßgeschneiderte Lösungen

Maßgeschneiderte Lösungen für die individuellen Anforderungen jedes Partners