Advanced Thin-Film Technology Services
Leveraging decades of CIGS photovoltaic expertise for external partners

Our Service Capabilities
 

Comprehensive thin-film technology services from a CIGS photovoltaic industry leader

Industrial facades from Germany

Coating

Precision thermal processing for CIGS absorber formation and material optimization.

 

Coatings                     Details                                                                      Max Size (cm)

Ag                          DC-Sputtering                                                                                  10x10

 

IZO*                       RF-Sputtering, n-type,                                                               30x30
                                            
ZnO:Al                 DC-Sputtering, n-type, 1wt% Al,                                            30x90                                  (other Al doping levels upon request)
 
ZnMgO:Al           RF-Sputtering, n-type,                                                               30x90
                                various Mg compositions,
                                Al doping levels  
 
ZnOS                    RF-Sputtering, n-type,                                                               30x60
                                various S/S+O compositions    
 
NiOx                     RF sputtering, p-type,                                                                 30x90
                                possibility with 2% wt% Cu             
 
InS:Na                 Thermal Co-Evaporation, n-type,                                         30x60
                                Eg=2..2.2eV, Na doping up to 15at%
 
C60                       Thermal Evaporation, n-type,                                                 30x30
                                Source purity 99.99%, 
                                                                         
BCP                      Thermal Evaporation,                                                                  30x30
                                                                                     
LiF                        Thermal Evaporation                                                                   30x30
 
Cu                         Sputtering                                                                                          30x30
 
CuGa                    Sputtering, various Ga compositions                                 30x30
 
In                           Sputtering                                                                                         30x30
 
CuNaF                Sputtering                                                                                          30x30
  
Mo                        Mo as metal, Reactive to form MoN                                      30x30
 
AgGa                   About 70at% Ag and 30at% Ga                                                30x30
  
CuSb                   About 10at% Sb and 90at% Cu                                                30x30
 
Se                         Thermal evaporation                                                                    30x30

Annealing

Precision thermal processing for CIGS absorber formation and material optimization.

 

Annealing Process          Details                                                            Max Size (cm)

Option 1       Atmosphere-Controlled Thermal Annealing                          60x90
                        Specialized processing in sulfur-rich or inert 
                        environments at temperatures up to 580°C for 
                        material phase transformation and grain growth 

 

Option 2      High-Precision Rapid Thermal Annealing (RTA)                   30x30
                        Advanced thermal processing up to 600°C with 
                        ultra-low oxygen levels (<10 ppm). Features rapid, 
                        programmable ramping (up to 2.8°C/s) for precise 
                        kinetic control and sulfurization/desulfurization

Laser & Patterning

High-precision laser structuring and mechanical patterning capabilities.

 

Laser & Patterning              Details                                                        Max Size (cm)

 
Laser                           High-precision ps-laser (1-10 ps) structuring,       40x40 Patterning                Wavelengths: 1064/1030/515/343 nm, 
                                       Processes: Single/Multishot (25kHz-4MHz), 
                                       Max Power: 30W, Resolution: <10 µm, XY 
                                       Accuracy: <5 µm, Supports, flexible complex 
                                       patterns via pulse-on-demand         
 
Edge Deletion         High power ns laser ~700 W, Wavelength:                60x90
                                       1064 nm, Removal of complete layer stacks, 
                                       Scanning optics allow variable removal areas
 
Laser engraving    CO2 laser engraver, Wavelength 10,6 µm,                 45x30
                                       Maximum power: 30W, Speed: 1.5 m/s,  
                                       Flexible Designs possible  
 
Mechanical              Mechanical patterning via tungsten carbide           40x40
scratching                needles,   scratching
                                       Line width: down to <10 µm, XY accuracy: 
                                       <5 µm, High pattern design flexibility
        
 

Grid & Inkjet Printing

Precision printing and metallization services for front contact formation.

 

Griding & Printing            Details                                                            Max Size (cm)

 
Printed Electronics         Conductive traces & electrodes,                       30x30
                                                   Ag/Cu inks, PCB prototyping 
 
Solar Cell Contacts          Fine-line front metallization, Si/CIGS,            30x30
                                                   Oven sintering               
 
UV Functional                     Dielectrics, encapsulation, Optical                  30x30
coating                                   layers, In-line UV cure    
 
RFID / IoT Antennas        HF & UHF coils, inductive loops, Flexible      30x30                                                    substrates, Maskless printing       
 
Sensor Electrodes           Gas, humidity, biosensors, Carbon,                  30x30
                                                   Ag, Ag/AgCl inks          
 
Photomask                          100 μm resolution; Microfluidics ,                     30x30
patterning                            MEMS, Lab-on-chip        
        

Characterization

Advanced analytical capabilities for thin-film and solar cell performance evaluation.

 

Characterization                                 Details                                         Max Size (cm)
Method 
 
XRF                   X-Ray Fluorescence, employed to obtain integral           30x30
                            elemental compositions
 
Raman             Raman spectroscopy, employed to obtain                          30x30
                            information about surface-near compounds, 
                            laser wavelength = 632 nm
 
GDOES             Glow-Discharge Optical Emission Spectroscopy,           30x30
                            employed for depth-profiling of sample composition 
     
TRPL                Time-Resolved Photoluminescence, employed to          30x30                             measure charge-carrier lifetimes          
 
Confocal         Confocal Microscopy, employed to obtain a 3D                30x30
Microscopy   image and figures of merit of a surface's topography      
 
Spectro-         Wavelength 250-2500 nm, integrating sphere &                5x10 
metry                standard transmission cuvettes            
 
Spectral PL   Absolute PLQY measurement                                                  2.5x2.5                                        
Hall                    Measures the resistivity, carrier concentration                    2x2
                            and mobility for 300K or 77K (Liquid Nitrogen) 
 
Ellipso-            Computer-controlled goniometer, 280-820nm,                  Ø 15 
metry                Transmission sample holder, μ-Spot 
                             (200 μm focal diameter)  
 

Fringer             White light interferometer, 350-820 nm                              60x90

Resistance     Standard 4-Probe Resistance and High-impedance    60x90
                             measurement, Resistance measurement range 
                             from 0.9 * 10³ ohms to 1.6 * 10¹⁰ ohms    
 
Flash IV            IV measurement of full size PV modules                         200x105
                                                                  
Constant         Temperature controlled (15-65°C)                                           30x30
light IV              measurements of lab-size PV modules under 
                             AM1.5 spectrum and other spectra. Tandem 
                             temperature control available for samples size 
                             10x10 cm²      
 
IV under           IV measurement under customised spectrum                 20x20
LED light         up to 1300nm (e.g. AM1.5, AM0, minimised spectral                                                  mismatch) and with temperature control from 15°C 
                             to 65°C
 
Outdoor           Performance monitoring for modules at an                  200x105
perfor-             inclination of 31° or vertical orientation. 
mance              Other orientations may be available on request
 
Outdoor           Temperature and irradiance measurements taken   200x105
depen-              in parallel to outdoor monitoring for analysis of 
dence                low light irradiance behaviour and temperature                                                        coefficient   
 
Outdoor           Visual assessment using photographs and colour    200x105 inspection      measurements                         
  
EL imaging     Electroluminescence of wavelengths up to 1100nm     30x30
 
DLIT/ILIT        Lock-in thermography with electrical excitation of      30x30
                             up to 120V (DLIT) and optical excitation (single wave-
                             length at 930nm) for unilluminated samples. 10x 
                             magnification available for DLIT measurements.
 
Climatic           Accelerated aging in high humidity and high                    60x90 chamber          temperature as well as thermal cycling 
 
Continuous    Mpp-tracking under Xe or LED spectrum with                       
light expo-      irradiation intensity up to 1,000 W/m2
sure
   
Prototyping   Special measurement and control systems tailored            /                                  to customers application
 
System             Analyse failure and component characteristics                    /
failure

analysis

                                                            
          
 

 

40+

Years Experience

Decades of leadership in CIGS thin-film photovoltaic technology

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Advanced laboratory facilities for precision research and development

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Customized Solutions

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